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一种高性能金属-氧化物-金属电容以及制作高性能金属-氧化物-金属电容的方法，通过有选择性对金属介电层进行光刻蚀刻来实现在同一层金属介电层中存在两种k值薄膜，将非MOM区域用低k介质填充，使得MOM区域采用高K介质，实现了高性能的金属-氧化物...
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