温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本公开关于一种鳍片场效应晶体管(FinFET)。FinFET的示例性结构包括具有顶面的基板;在基板顶面上并具有锥形顶面的第一绝缘区域和第二绝缘区域;延伸在第一和第二绝缘区域之间的基板顶面上的基板的鳍片,其中鳍片包括凹陷部分,其具有低于第一和...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本公开关于一种鳍片场效应晶体管(FinFET)。FinFET的示例性结构包括具有顶面的基板;在基板顶面上并具有锥形顶面的第一绝缘区域和第二绝缘区域;延伸在第一和第二绝缘区域之间的基板顶面上的基板的鳍片,其中鳍片包括凹陷部分,其具有低于第一和...