温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及外延晶片。假定r(m)表示GaN衬底(10)的半径，t1(m)表示GaN衬底的厚度，h1(m)表示在形成外延晶片(20)之前的GaN衬底(10)的翘曲，t2(m)表示AlxGa(1-x)N层(21)的厚度，h2(m)表示外延晶片的...
该专利属于住友电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友电气工业株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。