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本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种提高浮体动态随机存储器单元写入速度的注入方法及结构。本发明公开了一种提高浮体动态随机存储器单元写入速度的注入方法及结构，通过进行斜角重掺杂离子注入工艺，一方面提高了漏端沟道中的纵向电场，增大了衬底电流，...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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