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应力记忆作用的半导体器件及其制造方法技术
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文档序号:7302508
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本发明提供了一种应力记忆作用半导体器件的制造方法,包括:在半导体衬底上形成栅氧化层和栅极;在NMOS区域和PMOS区域上沉积疏松多孔的侧墙层,之后形成侧墙;在PMOS区域上形成第一光刻胶层,对NMOS区域进行N+离子注入,并去除NMOS区域...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。
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