温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种形成UMOS晶体管和ESD电路的方法，包括：提供基底，基底具有凹槽，凹槽的侧壁形成有栅介质层；形成非掺杂的多晶硅层，覆盖基底且填满凹槽，基底上的非掺杂的多晶硅层具有第一厚度；对凹槽内的非掺杂多晶硅层进行第一离子注入形成掺杂的多晶硅层，凹...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。