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本发明一般涉及一种改进晶体管载流子迁移率的半导体器件及方法，更确切的说，本发明涉及一种利用栅多晶硅提高晶体管载流子迁移率的方法。CMOS器件中的PMOS器件的栅极由多晶硅晶粒大小不同的多层多晶硅层构成，并且PMOS器件栅极中任意一层多晶硅层...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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