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制造氮化物半导体晶体层的方法技术
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文档序号:7253068
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根据一个实施例,公开了一种制造氮化物半导体晶体层的方法。所述方法可包括在硅晶体层上形成具有第一厚度的所述氮化物半导体晶体层。所述硅晶体层被设置在基体上。在形成所述氮化物半导体晶体层之前,所述硅晶体层具有第二厚度。所述第二厚度小于所述第一厚度...
该专利属于株式会社东芝所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社东芝授权不得商用。
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