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本发明公开了一种可降低方块电阻的铜互连结构的制造方法，包括提供半导体基底；依序在其上形成刻蚀阻挡层、介电层、介电保护层和金属硬掩膜层；通过光刻和刻蚀，依次在介电保护层中形成第一深度的沟槽图形、第二深度的沟槽图形，并形成与所述第一深度的沟槽图...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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