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本发明提供了改善由GIDL主导的MOS晶体管击穿电压的方法以及MOS晶体管制造方法。根据本发明的改善MOS晶体管击穿电压的方法包括：在利用掩膜对MOS晶体管的源极漏极执行离子注入的步骤中，修改所述掩膜的图案以在所述掩膜的图案中增加一个附加掩...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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