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本发明涉及一种超低介电常数薄膜铜互连的制作方法，该种制作方法在超低介电常数薄膜上将要形成通孔和沟槽的区域覆盖遮蔽图形，使得超低介电常数薄膜经紫外线照射后仅在上述区域外得到多孔结构的超低介电常数薄膜，将要形成通孔和沟槽区域的超低介电常数薄膜结...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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