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本发明提供了一种具有诸如沟道迁移率的优良电特性的碳化硅半导体器件及其制造方法。一种半导体器件（１）包括：衬底（２），衬底（２）由碳化硅制成并且其相对于｛０００１｝的表面取向的偏离角大于或等５０°且小于或等于６５°；ｐ型层（４），所述ｐ型层（...
该专利属于住友电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友电气工业株式会社授权不得商用。

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