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本发明提供一种具有可提高偏光度的结构的氮化镓系半导体发光元件。发光二极管（１１ａ）包括半导体区域（１３）、ＩｎＧａＮ层（１５）及活性层（１７）。半导体区域（１３）具有表现出半极性的主面（１３ａ），且包含ＧａＮ或者ＡｌＧａＮ。半导体区域（１３...
该专利属于住友电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友电气工业株式会社授权不得商用。

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