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在大马士革制程中在对被堆积于由有机系的ｌｏｗ－ｋ膜构成的层间绝缘膜上的铜进行研磨时，ＣＭＰ装置可以防止发生划痕或凹陷。在该ＣＭＰ装置中，使粘贴了研磨垫（１２）的旋转头（１０）的旋转中心轴与将半导体晶片（１００）面朝上安装的旋转台（１４）的旋...
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