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通过用于制造ｐ－ｉ－ｎ结半导体层堆叠的方法实现在衬底上的薄膜光伏器件，该堆叠具有ｐ型微晶硅层、ｐ型非晶硅层、选包括本征非晶硅的缓冲硅层、本征型非晶硅层以及在本征型非晶硅层上的ｎ型硅层。...
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