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本发明公开了一种光刻设备，包括光学元件，所述光学元件包括定向的碳纳米管薄层。所述光学元件具有大约２０－５００ｎｍ范围的元件厚度，并且在用ＥＵＶ辐射垂直照射的条件下对波长范围为大约１－２０ｎｍ的ＥＵＶ辐射具有至少２０％的透射率。定向的碳纳米管...
该专利属于ＡＳＭＬ荷兰有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过ＡＳＭＬ荷兰有限公司授权不得商用。

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