用于光刻设备的光学元件、包括这种光学元件的光刻设备以及制造该光学元件的方法技术

本发明专利技术公开了一种光刻设备，包括光学元件，所述光学元件包括定向的碳纳米管薄层。所述光学元件具有大约２０－５００ｎｍ范围的元件厚度，并且在用ＥＵＶ辐射垂直照射的条件下对波长范围为大约１－２０ｎｍ的ＥＵＶ辐射具有至少２０％的透射率。定向的碳纳米管薄层本身可以用作光学元件，并且可以设计用以减少碎片和／或提高ＥＵＶ与不想要的辐射的比值。薄层由于其强度不必需要支撑。本发明专利技术的光学元件可以是非支撑的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于光刻设备的光学元件和包括这种光学元件的光刻设备。本发 明还涉及一种用于制造该光学元件的方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例 如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模 或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案 转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。 所述图案的转移通常是通过将图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上 而实现的。通常，单个衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备 包括所谓的步进机，在步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一 个目标部分；和所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫 描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目 标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式从图案形成装置将图案转 移到衬底上。在光刻设备中，可以成像到衬底上的特征的尺寸受本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻设备，包括光学元件，所述光学元件包括定向的碳纳米管薄层，所述光学元件具有大约２０－５００ｎｍ范围内的元件厚度，并且在用ＥＵＶ辐射垂直照射的条件下对波长范围为１－２０ｎｍ的ＥＵＶ辐射具有至少２０％的透射率。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：L·斯基马恩奥克，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL