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本发明提供了光掩模等离子体蚀刻过程中的原位室干法清洁方法和设备。本发明的实施例包括用于在光掩模等离子体蚀刻之后原位室干法清洁的方法。在一个实施例中，该方法包括：将光掩模放置在支撑底座上；将处理气体引入处理室中；由处理气体形成等离子体；在存在...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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