光掩模等离子体蚀刻过程中的原位室干法清洁方法和设备技术

本发明专利技术提供了光掩模等离子体蚀刻过程中的原位室干法清洁方法和设备。本发明专利技术的实施例包括用于在光掩模等离子体蚀刻之后原位室干法清洁的方法。在一个实施例中，该方法包括：将光掩模放置在支撑底座上；将处理气体引入处理室中；由处理气体形成等离子体；在存在等离子体的情况下蚀刻设置在光掩模上的含铬层；从支撑底座移除光掩模；将伪衬底放置在底座上；以及通过在伪衬底被放置在底座上时使含Ｏ２的清洁气体流动通过处理室，来执行原位干法清洁处理。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例主要涉及用于使用等离子体蚀刻来处理光掩模衬底的方法和设 备。具体来说，本专利技术涉及用于在光掩模衬底的等离子体蚀刻过程中的原位室干法清洁的 方法和设备。
技术介绍
微电子器件或集成电路器件的制造通常涉及需要在半导体、电介质和导体衬底上 执行数百个单独步骤的复杂工艺序列。上述工艺步骤的示例包括氧化、扩散、离子注入、薄 膜沉积、清洁、蚀刻和光刻。使用光刻和蚀刻(经常称作图案转印步骤)，所需的图案首先被 转印至光敏材料层(例如光刻胶)，然后在随后的蚀刻过程中被转印至基底(underlying) 材料层。在光刻步骤中，覆盖(blanket)光刻胶通过含有图案的光罩(reticle)或光掩模 而暴露于辐射源，从而使得该图案的图像形成于光刻胶中，其中光罩或光掩模通常形成于 玻璃或石英衬底上所承载的含金属层中。通过使得光刻胶在适当的化学溶液中显影，将光 刻胶的多个部分去除，因此产生了图案化的光刻胶层。在光刻胶图案用作掩模的情况下，例 如，使用干法蚀刻将基底材料层暴露于反应环境，这导致图案被转印至基底材料层。 适合用于先进设备制造的可商购的光掩模蚀刻设备的示例是可从Santa C本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于在光掩模等离子体蚀刻之后的原位室干法清洁的方法，其包括如下步骤：　　将光掩模放置在支撑底座上；　　将处理气体引入处理室中；　　由所述处理气体形成等离子体；　　在存在等离子体的情况下，蚀刻设置在所述光掩模上的含铬层；　　从所述支撑底座移除所述光掩模；以及　　通过在伪衬底被放置在所述支撑底座上时使得含Ｏ↓［２］的清洁气体流动通过所述处理室，来执行原位干法清洁处理。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US12/147,3412008年6月26日1.一种用于在光掩模等离子体蚀刻之后的原位室干法清洁的方法，其包括如下步骤将光掩模放置在支撑底座上；将处理气体引入处理室中；由所述处理气体形成等离子体；在存在等离子体的情况下，蚀刻设置在所述光掩模上的含铬层；从所述支撑底座移除所述光掩模；以及通过在伪衬底被放置在所述支撑底座上时使得含A的清洁气体流动通过所述处理室， 来执行原位干法清洁处理。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述清洁气体不含氯。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述清洁气体还包括氯。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述清洁气体包括以约50到约lOOOsccm的速率 提供的氧气。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述清洁气体中的氧气的流速在约50到约 lOOOsccm之间，并且其中所述清洁气体中的氯气的流速在约25到约500sCCm之间。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述清洁气体中的氧气的流速在约50到约 400sccm之间，并且其中所述清洁气体中的氯气的流速在约50到约400sCCm之间。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述清洁气体中的氧气的流速为约lOOsccm，并 且其中所述清洁气体中的氯气的流速为约lOOsccm。8.根据权利要求1所述的方法，其中，在不存在偏压功率的情况下执行所述干法清洁 处理。9.根据权利要求1所述的方法，其中，使用RF功率来维持由所述清洁气...

【专利技术属性】
技术研发人员：晓义·陈，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：US