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本发明的目的是提供制造ＣＭＯＳ传感器的方法，该方法在于逻辑区域中确定硅化物的形成并于像素区域中利用离子注入的同时，不需要移除硬掩模的工艺，保持薄的硬掩模，便于在构建栅极图案时控制阈值宽度，并且能够改善栅极光致抗蚀剂图案的阈值宽度均匀性。该制...
该专利属于科洛司科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过科洛司科技有限公司授权不得商用。

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