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一种制造半导体器件的方法，包括下述步骤：对绝缘层进行退火，和在绝缘层上形成包括金属元素的阻挡层。绝缘层包括氟碳化合物（ＣＦｘ）膜。在退火步骤之后，用高温溅射工艺形成阻挡层。...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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