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本发明公开了用于高效地实现诸如ＰＲＯＭ、ＯＴＰＲＯＭ及其它此类可编程非易失性存储器之类的可编程存储器阵列电路体系结构的技术和电路。该电路采用包括存储器位单元阵列的反熔丝方案，每个存储器位单元包含编程器件和反熔丝元件，其中反熔丝元件用电流路径...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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