反熔丝可编程存储器阵列制造技术

本发明专利技术公开了用于高效地实现诸如ＰＲＯＭ、ＯＴＰＲＯＭ及其它此类可编程非易失性存储器之类的可编程存储器阵列电路体系结构的技术和电路。该电路采用包括存储器位单元阵列的反熔丝方案，每个存储器位单元包含编程器件和反熔丝元件，其中反熔丝元件用电流路径隔离阱来配置并且用于存储存储器单元状态。可与列／行选择电路、功率选择器电路和／或读出电路结合使用的位单元配置允许高密度存储器阵列电路设计和布局。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及存储器电路，尤其涉及集成反熔丝可编程存储器。
技术介绍
诸如可编程只读存储器(PROM)和一次性可编程只读存储器(OTPROM)之类的可编程存储器装置通常是通过在存储器电路内破坏链路(经由熔丝)或创建链路(经由反熔丝)被编程的。例如在PROM中，每个存储位置或存储位包含熔丝和/或反熔丝，并且通过触发这两个中的一个来编程。一旦编程被执行，它通常是不可逆的。编程通常在制造存储器装置之后进行，并且考虑特定最终用途和应用。熔丝链路一般用可由适量高电流进行开路或“烧断”的电阻性熔丝元件来实现。相反，反熔丝链路用两个导体层或端子之间的不导电材料(诸如二氧化硅)薄阻挡层来实现， 使得当跨这两个端子施加足够高的电压时，二氧化硅或其它此类不导电材料有效地变成两个端子之间的短路或低电阻导电通路。在编程存储器中使用的常规熔丝和反熔丝链路存在许多问题，包括许多非平凡设计和布局考虑。附图简述图Ia示出根据本专利技术一实施例配置的反熔丝存储器装置。图Ib示出根据本专利技术的另一实施例配置的反熔丝存储器装置。图2示出根据本专利技术一实施例配置的可在图Ia和图Ib的装置中使用的示例位单兀。图3示出本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种存储器装置，包括：位单元阵列，每个位单元具有两个元件，这两个元件包括用于存储位单元状态的单个反熔丝元件以及用于提供对所述反熔丝元件的存取以便位单元编程和读出的单个存取元件；以及功率选择电路，用于将所述阵列的栅线偏置到用于位单元编程的第一电压电平以及用于位单元读出的第二电压电平，其中所述栅线连接到所述反熔丝元件中的至少一个。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈占平，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：US