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本发明公开了一种提高光刻胶曝光精度的方法，该光刻胶对紫外光具有高透射性，该方法是通过对透过光刻胶的紫外光进行垂直反射或对透过光刻胶的紫外光进行全吸收实现的。本发明通过对透过光刻胶的紫外光进行垂直反射或全吸收，减小了透射紫外光的影响，大幅提高...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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