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本发明针对MEMS技术中机械连接但是电绝缘的需求，公开了一种深沟道隔离槽的制备方法。该方法步骤：抛光硅片；光刻；DRIE形成深沟槽2，所述深沟槽2为等腰倒梯形，槽侧壁与竖直方向夹角θ满足1°≤θ≤5°；氧清洗；在深沟槽2侧壁表面和硅片表面生...
该专利属于西北工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过西北工业大学授权不得商用。

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