温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了栅驱动晶闸管电路以及静电保护电路，所述栅驱动晶闸管电路包括：半导体衬底，位于半导体衬底内且相邻的N阱以及P阱；位于N阱内的第一N+型注入区；位于P阱内的第二N+型注入区；位于N阱上的PMOS晶体管，所述PMOS晶体管包括N阱表面...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。