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一种MOS器件形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有包括侧墙的栅极结构；以所述栅极结构为掩膜，向栅极结构两侧的半导体衬底注入掺杂离子，形成源、漏极；向源、漏极表面通入氧气等离子体，在源、漏极表面形成阻挡氧化层；形成所述阻挡...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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