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一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底内形成有沟槽；向所述沟槽内填充单晶硅或多晶硅，形成具有电极层的半导体器件；将所述具有电极层的半导体器件放置于炉管中进行退火处理。本发明实施例形成的半导体器件的电极层内没有空洞，所述半导体器件...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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