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本发明实施例提供了一种SRAM单元，包括：写入单元，与写字线和写位线电连接，用于控制对该SRAM单元写入信息的状态；存储单元，与所述写入单元电连接，用于将所述写入信息反向，形成存储信息，提供存储节点将所述存储信息保存；读出单元，与读字线、读...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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