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一种采用分级位线和两级灵敏放大器的SRAM电路装置，划分为子阵列，每一个子阵列再采用分割位线级数，对应每根局部位线挂载有SRAM单元；第一级灵敏放大器采用锁存型结构，交叉耦合的反相器两个输入输出节点分别通过一个PMOS管驱动全局位线，这样局...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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