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一种测量微尺度基体薄膜残余应力的方法,属于光测力学、微电子器件技术领域。本发明的技术特点是在聚焦离子束-场发射扫描电子束双束系统这一成熟商品仪器环境下,利用离子束在试件表面上制作正交光栅,选取合适的放大倍数利用电子束采集残余应力释放前的相移...
该专利属于清华大学所有,仅供学习研究参考,未经过清华大学授权不得商用。

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