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本发明公开了一种SOI体电阻建模方法，该方法包括：步骤1：计算中性体区横截面面积；步骤2：根据中性体区横截面面积建立SOI体电阻初步模型；步骤3：对SOI体电阻初步模型进行优化，形成最终的SOI体电阻模型。利用本发明，实现了对体电阻的精确计...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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