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本发明提供一种半导体装置的制造方法。上述半导体装置的制造方法包括提供半导体基板。于半导体基板上形成一第一高介电常数介电层。对第一高介电常数介电层进行一第一处理工艺。在一实施例中，上述处理工艺可包括于氧气及/或在臭氧环境下的紫外线辐射工艺。于...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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