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本发明提供具有聚合物层的半导体装置及其制造方法。用于聚合物表面的两步骤等离子体处理包含一第一等离子体工艺用以使聚合物层表面粗糙化并释放出使结构松散一产生的松散结构污染物,及一第二等离子体工艺用以使聚合物层光滑或较不粗糙。可在第一等离子体工艺...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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本发明提供具有聚合物层的半导体装置及其制造方法。用于聚合物表面的两步骤等离子体处理包含一第一等离子体工艺用以使聚合物层表面粗糙化并释放出使结构松散一产生的松散结构污染物,及一第二等离子体工艺用以使聚合物层光滑或较不粗糙。可在第一等离子体工艺...