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本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，通过具有相对于衬底上表面凹进的侧壁的源极区、漏极区的N-FET晶体管，并且直接在该源极区、漏极区上方的接触孔中形成具有拉应力性质的材料，从而在保证N-FET晶体管沟道改善性能的同时对沟道区施加拉应力。...该专利属于中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司授权不得商用。