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一种半导体器件及其制造方法，所述方法在栅极替代工艺(Replacement?gate或Gate?last)制备CMOS晶体管过程中，利用快速退火将超薄的原子单层结构的高k介质材料形成含有衬底成分的更高元的高k界面层，并在其上形成更高介电常数...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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