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一种制造半导体器件的方法，所述方法采用了先对源/漏极区进行热退火再进行Halo离子注入以形成Halo离子注入区的方式，通过先去除所述伪栅极，暴露所述栅极介质层以形成开口；而后从所述开口对衬底进行斜角度Halo离子注入，以在器件的沟道两侧形成...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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