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本发明是有关于一种非挥发性记忆体及其操作方法。降低非挥发性记忆体中第二位元效应的操作方法，适用于具有第一储存位置与第二储存位置的N阶记忆胞(其中N为大于2的正整数)。该方法包括下列步骤：根据第二储存位置的位准，决定操作第一储存位置的操作位准...
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