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本发明涉及SOICMOS半导体集成电路技术领域，具体涉及一种提高SOI-PMOS器件背栅阈值电压的方法。所述方法具体包括如下步骤：将SOI-PMOS器件的源极、漏极、栅极均接地电位，将SOI-PMOS器件的背栅极接绝对值大于80V的负直流电...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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