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本发明涉及光子器件技术领域，具体是一种绝缘体上硅基的波导光栅耦合器及其制备方法，该光栅耦合器绝缘衬底硅(SOI)片，其特征在于：SOI片由硅衬底、限制层、顶硅层构成，限制层在硅衬底上，顶硅层制作在限制层上，在顶硅层的表面制作有衍射光栅，在衍...
该专利属于浙江东晶光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江东晶光电科技有限公司授权不得商用。

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