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本发明公开了一种集成电路三维存储器阵列及制造方法，涉及基于导体柱阵列及多个图案化导体平面的三维存储器元件及其制造方法，多个图案化导体平面包括邻接左侧及右侧界面区的导体柱的左侧及右侧导体。左侧及右侧界面区中的存储器构件包括一个可编程构件及一个...
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