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本发明提供一种制造半导体器件的方法及半导体器件。其中，该方法包括：提供衬底；在衬底上形成栅堆叠；覆盖所述器件形成内层介电层；对栅堆叠两侧的内层介电层及其下方的衬底进行刻蚀，以分别形成属于源极区和漏极区的凹槽；在凹槽内沉积形成金属扩散阻挡层；...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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