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一种半导体器件及其制造方法，所述方法在形成栅堆叠后，在NMOS区域的第一栅堆叠上形成第一侧墙缓冲层；然后在PMOS区域的第二栅堆叠上形成第二侧墙；其中第一侧墙缓冲层由氮化物或氧化物材料形成，第二侧墙由低k介质材料形成；然后在氧环境中进行高温...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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