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硒化钒薄膜作背接触层的CdTe太阳电池制造技术
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文档序号:6848829
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本发明是为了消除CdTe电池中铜或含铜背接触层材料的缺陷,避免铜的扩散对CdTe太阳电池性能产生不良影响。采用一种不含铜的硒化钒材料,添加在CdTe太阳电池基本结构的吸收层与金属背电极之间,作为CdTe太阳电池的背接触层。可实现CdTe太阳...
该专利属于四川大学所有,仅供学习研究参考,未经过四川大学授权不得商用。
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