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本发明提供一种等离子体处理装置及半导体装置的制造方法，该装置能够防止在半导体晶圆等基板与下部电极的基材之间或者与下部电极的基材周边的构造物之间发生放电、能够谋求提高成品率、提高生产率。该装置包括处理室、下部电极、上部电极以及用于支承被处理基...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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