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本发明公开了一种存储器件及其制造方法，所述存储器件包括在半导体层中形成的MOSFET，以及位于MOSFET下方的电容器结构，所述电容器结构包括两个电容器电极，所述MOSFET的源区和漏区之一与所述两个电容器电极之一电连接，其中，所述电容器结...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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