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本发明公开了一种以氮化铝为势垒层的Mo基金属栅叠层结构的刻蚀方法，该方法在半导体衬底上依次形成界面SiO2层、高K栅介质层、Mo基金属栅电极层、AlN势垒层、硅栅层和硬掩膜层；对形成界面SiO2层、高K栅介质层、Mo基金属栅电极层、AlN势...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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