温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了具有轻掺杂漏极(LDD)区的高电子迁移率晶体管(HEMT)及其制造方法。该HEMT包括：源极；漏极；栅极；沟道提供层，用于形成至少二维电子气(2DEG)沟道；以及沟道形成层，至少该2DEG沟道将要形成在沟道形成层中，其中沟道提供...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。