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本发明揭示了一种硅锑碲复合相变材料Siy(SbxTe1-x)1-y其由功能材料Si和相变材料SbxTe1-x作为两个相互分散的物相复合而成，用于纳米晶电阻转换存储器，其中0.5≤x≤0.9，0＜y≤0.4。硅锑碲复合相变材料S?iy(Sbx...该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。
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本发明揭示了一种硅锑碲复合相变材料Siy(SbxTe1-x)1-y其由功能材料Si和相变材料SbxTe1-x作为两个相互分散的物相复合而成，用于纳米晶电阻转换存储器，其中0.5≤x≤0.9，0＜y≤0.4。硅锑碲复合相变材料S?iy(Sbx...