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本发明一实施例中，提供一种半导体结构金属栅极堆叠的制造方法，该方法包括：形成一第一伪栅极与一第二伪栅极于一基板上；移除该第一伪栅极的一多晶硅层，以形成一第一栅极沟槽；形成一第一金属层与一第一铝层于该第一栅极沟槽中；对该基板实施一化学机械研磨...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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